SOI材料具有了體硅所無法比擬的優(yōu)點:可以實現(xiàn)集成電路中元器件的介質(zhì)隔離,徹底消除了體硅CMOS電路中的寄生閂鎖效應;采用這種材料制成的集成電路還具有寄生電容小、集成密度高、速度快、工藝簡單、短溝道效應小及特別適用于低壓低功耗電路等優(yōu)勢,因此可以說SOI將有可能成為深亞微米的低壓、低功耗集成電路的主流技術。此外,SOI材料還被用來制造MEMS光開關,如利用體微機械加工技術。
SOI應用范圍:
除了特異的優(yōu)點,在集成電路中使用外,還被用于微光機電MEMS系統(tǒng)的制造,如3D反射鏡陣列開關。該反射鏡是在SOI襯底的'活性層中形成可動反射鏡,與另一臺階狀電極的襯底連接而成。由于使用單晶硅襯底,且在可動反射鏡,直徑500微米,的上下面上對稱的以同一條件而形成反射膜等,因此,具有10納米級的翹曲與數(shù)十納米的表面粗糙度。